開展電極結(jié)構(gòu)與空間布置對壓接型IGBT器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)均流影響的實驗研究。首先,比較多種IGBT/FRD芯片級并聯(lián)均流實驗電路,進而搭建壓接型IGBT/FRD芯片級動態(tài)均流特性實驗平臺,對16枚FRD芯片開展動態(tài)均流測試。實驗結(jié)果證實器件內(nèi)存在復雜的動態(tài)不均流現(xiàn)象,進一步表明:發(fā)射極電極圓周化布置時,在對稱的外部電磁條件下可以明顯優(yōu)化器件內(nèi)部的并聯(lián)均流特性,但當器件連接外部不對稱匯流母排后,該設(shè)計方案收效甚微,甚至有加劇不均流的風險;發(fā)射極電極刻槽方案,對于對稱或不對稱的外部電磁條件都能對器件內(nèi)部的動態(tài)均流特性加以改善。

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 壓接型IGBT/FRD并聯(lián)均流實驗原理
2 壓接型IGBT/FRD多芯片并聯(lián)均流特性實驗平臺
3 不同電極結(jié)構(gòu)設(shè)計方案的多芯片并聯(lián)均流特性實驗
4 多芯片并聯(lián)均流實驗結(jié)果及分析
5 結(jié)論



本文編號：3989908