隨著量子阱材料的發(fā)展,量子阱器件廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。激子對(duì)描述半導(dǎo)體的光學(xué)以及電學(xué)特性具有重要意義,并且激子效應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體中的光吸收、發(fā)光等物理過(guò)程具有重要影響,因此研究激子對(duì)半導(dǎo)體光電子器件的設(shè)計(jì)和制作具有非常重要意義。與半導(dǎo)體體材料相比,在量子阱結(jié)構(gòu)中,激子的束縛能要大得多,而且在較高溫度或在電場(chǎng)作用下更穩(wěn)定。從理論上研究量子阱材料的電子態(tài)對(duì)新型量子阱器件設(shè)計(jì)具有重要的理論價(jià)值和指導(dǎo)意義。CdMnTe量子阱材料是一類新型半導(dǎo)體材料,與其它半導(dǎo)體材料不同,它摻入了具有磁性的Mn2+,使得CdMnTe材料兼具半導(dǎo)體和磁性材料的性質(zhì)。這種特殊的性質(zhì)使其具有很多優(yōu)良的物理性能,因此在器件應(yīng)用上具有很多潛在的價(jià)值,從而對(duì)CdMnTe材料的深入研究具有重要意義。本文在有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)近似下采用變分法對(duì)Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱中激子結(jié)合能進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容如下:1.闡述了量子阱、量子阱材料和Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱材料的發(fā)展與應(yīng)用,并且對(duì)激子進(jìn)行了簡(jiǎn)單的闡述。2.簡(jiǎn)單地介紹了量子阱結(jié)構(gòu)中電子態(tài)的主要理論計(jì)算方法,即有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)、打靶法、變分法和激子結(jié)合能的計(jì)算方法...

【文章頁(yè)數(shù)】：54 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引論
        1.1.1 量子阱材料的發(fā)展及應(yīng)用
        1.1.2 Cd1-xMnxTe半導(dǎo)體材料的發(fā)展及應(yīng)用
        1.1.3 激子
    1.2 本論文的主要工作
第二章 理論計(jì)算方法
    2.1 有效質(zhì)量包絡(luò)函數(shù)近似
    2.2 打靶法
    2.3 變分法
    2.4 激子結(jié)合能
    2.5 小結(jié)
第三章 方型量子阱中激子結(jié)合能的研究
    3.1.引言
    3.2 理論模型
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 單量子結(jié)果與討論
        3.3.2 雙量子結(jié)果與討論
        3.3.3 多量子阱結(jié)果與討論
    3.4 小結(jié)
第四章 拋物型和三角型量子阱中激子結(jié)合能的研究
    4.1 引言
    4.2 理論方法
    4.3 結(jié)果及討論
        4.3.1 拋物型量子阱結(jié)果與討論
        4.3.2 三角型量子阱結(jié)果與討論
    4.4 小結(jié)
第五章 非對(duì)稱量子阱中激子結(jié)合能的研究
    5.1 引言
    5.2 理論模型
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 非對(duì)稱雙量子阱結(jié)果與討論
        5.3.2 階梯型量子阱結(jié)果與討論
    5.4 小論
第六章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
在校期間發(fā)表的論文
致謝



本文編號(hào)：3997761